Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения

Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения

Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения

Специалисты компаний Toshiba Corporation и Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) разработали технологию производства второго поколения NAND Flash-памяти, энергонезависимой памяти, обладающей характеристиками, превосходящими характеристики самых лучших современных образцов подобной памяти., и способной хранить два бита данных в одной ячейке Массовое производство новых микросхем NAND-памяти, изготовленных по 19-нм технологическому процессу и имеющих емкость 64 гигабита, будет начато в самое ближайшее время…Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения

Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения

Специалисты компаний Toshiba Corporation и Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) разработали технологию производства второго поколения NAND Flash-памяти, энергонезависимой памяти, обладающей характеристиками, превосходящими характеристики самых лучших современных образцов подобной памяти., и способной хранить два бита данных в одной ячейке Массовое производство новых микросхем NAND-памяти, изготовленных по 19-нм технологическому процессу и имеющих емкость 64 гигабита, будет начато в самое ближайшее время.

Следует заметить, что NAND Flash-память является одним из самых важных компонентов потребительской электроники на сегодняшний день. Такая память используется в составе карт памяти, Flash-накопителей, в смартфонах, планшетных компьютерах, в обычных компьютерах и во множестве других электронных устройств. А микросхемы NAND Flash-память, имеющие повышенную надежность, используются для создания твердотельных дисков (SSD), предназначенных для использования в серверах информационных центров и в суперкомпьютерах.

При разработке нового типа NAND Flash-памяти специалисты компании Toshiba использовали самые современные технологии и последние научные достижения в области микроэлектроники. В результате этого были разработаны 64-гигабитные чипы, площадью 96 квадратных миллиметров, что делает эти микросхемы микросхемами с самой высокой плотностью хранения информации на сегодняшний день. Помимо этого, в составе новой микросхемы памяти присутствует контроллер, реализующий инновационный метод скоростной записи информации, благодаря которому чипы NAND Flash-памяти следующего поколения могут обеспечить скорость записи до 25 МВ/сек.

В настоящее время в лабораториях компании Toshiba ведутся разработки NAND Flash-памяти еще одного следующего поколения, которая сможет хранить три бита данных в одной ячейке. Трехбитная Flash-память будет основана на той же самой технологии, что и двухбитная, а производство трехбитной NAND Flash-памяти будет начато во второй половине этого года.

Компания Toshiba планирует сначала выпустить микросхемы трехбитной памяти, предназначенные для использования в смартфонах и планшетных компьютерах, а затем будет разработан специализированный контроллер, совместимый со стандартом eMMC, что позволит использовать новую память в картах памяти и Flash-накопителях информации. После этого будет разработан еще один контроллер памяти, поддерживающий протоколы работы SSD, что позволит новым портативным компьютерам и серверам получить SSD-диски нового поколения, обладающие замечательными техническими характеристиками.

Статья взята из открытых источников: http://www.dailytechinfo.org/electronics/4843-kompaniya-toshiba-sovershaet-proryv-v-oblasti-nand-flash-pamyati-sleduyuschego-pokoleniya.html

Добавить комментарий